基本介绍

霍晓迪，2022年毕业于中国科学院大学，材料物理与化学专业博士，德州学院物理与电子信息学院讲师。

研究方向

（1）半导体金刚石晶片的制备及其性能表征。

（2）生产金刚石设备研发与制造。

（3）金刚石基电子器件的研发与制备。

学习和工作经历

（1）2012.07-2019.07  京东方科技集团股份有限公司 高级工程师

（2）2019.09-2022.06  中国科学院大学材料物理与化学专业 博士

（3）2022.10-至今     德州学院物电学院  讲师

发表论文（时间倒序）

（1）Zhen Wang, Peng Jin, Pengfei Qu,Dunzhou Xu, Xiaodi Huo, Ju Wu, Zhanguo Wang. The ab initio study of n-type nitrogen and gallium co-doped diamond[J]. Semiconductor Science and Technology.2024.

（2）ZHOU G, QU P, HUO X, JIN P, WU J, WANG Z. The deposition of Ir/YSZ double-layer thin films on silicon by PLD and magnetron sputtering: Growth kinetics and the effects of oxygen[J]. Results in Physics, 2023,47:106357.

（3）FENG M, JIN P, MENG X, XU P, HUO X, ZHOU G, QU P, WU J, WANG Z. Performance of metal-semiconductor-metal structured diamond deep-ultraviolet photodetector with a large active area[J]. Journal of Physics D: Applied Physics, 2022,55(40):404005.

（4）XU P, JIN P, FENG M, QU P, HUO X, WU J, WANG Z. TCAD simulation of vertical diamond MISFET based on deep depletion characteristics with high current output capacity[J]. Micro and Nanostructures, 2022,169:207368.

（5）Xiaodi Huo, Guangdi Zhou, Mengyang Feng, Peng Jin, Ju Wu, Zhanguo Wang. Effects of deposition time on growth of Ir buffer layer on MgO(100) support layer by magnetron sputtering[J]. Results in Physics.2021.

（6）霍晓迪,陈兵,李知勋,李淳东,刘华锋.过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究[J].液晶与显示,2016,31(01):58-61.

（7）霍晓迪，王青，梁军，张凯，穆明. 微弧氧化一步制备石墨-PTFE共添加的自润滑膜层[J].摩擦学学报. 2012, 32 (2): 133-138.

（8）王青，霍晓迪，兰斌，张海峰，张晓楠. Fe掺杂TiO2结构和磁性[J]. 兰州理工大学学报. 2012, 38 (3).

（9）WANG Qing, ZHANG Xiaonan, HUO Xiaodi, ZHANG Renhui, DAI Jianfeng. Study of nanocrystalline ZnO and Zn2TiO4 film electrode with ZnPc Dye and PbS quantum dots composite sensitization[J]. Advanced Materials Research. 2011, 287-290, 2217-2220.

主持国家级/省部级/横向科研项目

（1）德州学院校级基金，2022XJRC443 ，用于金刚石异质外延的衬底制备和机理研究 ，2023.01- 2025.12，10万，主持。

主要科研内容简介

（1）已完成的研究内容。

（a）半导体金刚石晶片的外延制备方面。长期从事该工作，进行了大量实验，对其外延的机理、工艺优化有着很深入的了解。Ir是目前已知最好的异质外延金刚石单晶膜衬底，目前已经掌握了工艺稳定重复性高的镀Ir工艺。研究了金刚石的偏压成核工艺，最终获得了高成核密度的样品。成核后进行生长工艺获得了外延金刚石单晶。制定了两项表征金刚石质量（位错密度和结晶质量）的标准，抢占了行业先机。

（b）MPCVD设备优化方面。已经获得的授权专利主要有2个。CN202010735304.8为“隔热导电偏压衬底托”，能够利于高质量的膜层外延生长。CN202010735303.3为“一种高均一性半导体膜的生长装置及制备方法”，能实现大面积高质量的金刚石膜层外延生长。

（c）金刚石基电子器件制备方面。制备了大面积的金刚石深紫外光电探测器，使其有效面积提高6倍以上。

（2）拟进行的研究内容。

（a）半导体金刚石晶片的制备及其性能表征方面。使用MPCVD设备利用同质或者异质外延的方法批量生产半导体金刚石晶片，致力于降本提质。

（b）生产金刚石设备研发与制造方面。用于金刚石同质或者异质外延用的MPCVD设备的设计、优化和批量制造，致力于降本增效。

（c）金刚石基电子器件的研发与制备。金刚石基电子器件的研发和制备，包括散热器件、深紫外探测器、耐辐射器件、生物传感器、高频电子器件等。